与此同时，陈启硅衬底LED技术已经具备了大规模产业化能力。
图3Micro-LED结构示意图四、鑫容【研究发展方向】这部分会挑选部分跟材料相关的方向，有兴趣了解更多的读者可以自行下载文章阅读。当然，量电力供落地OLED材料本身的效率和耐用性也是重要的因素，故此Micro-OLED领域在前沿的研究需求还是相当大的。
他目前的研究兴趣包括磷化铟和坤化镓基的高速垂直腔面发射激光器的外延、价出设计、制造和测量，以及氮化镓基的发光设备和纳米结构。这是由于电子和空穴在两种物料中的传输速率不相等，台保有可能导致其中一边的载流子过多。而Sun等人透过将QD的配体从油酸替换为，障电重要1-十二烷硫醇，加上高导热性的蓝宝石基底，有效减低QD和整体器件的积热，增加稳定性和使命寿命。
前者对于材料、应的块设计和工艺要求较高。所以，拼图透过更薄的HTL增加空穴，和更厚的ETL减少电子，能够获得高发光效率并延长发光寿命。
他们透过中子束刻蚀（NBE）技术取代传统的电感耦合等离子体刻蚀（ICP），陈启使6微米-40微米Micro-LED晶体的EQE没有明显变化。
另外，鑫容三种显示技术的部件和技术发展在一定程度上是类近的，所以Micro-LED的部分技术和思路也是可以套用到Micro-OLED上的，如此类推。量电力供落地【数据概览】图1.K2YF5:Yb/Er上转换纳米线的晶体结构与光学性质。
价出（i）自立式K2YF5:Yb/Er薄膜在980nm激发（1.50W/cm2）下的上转换发射光谱。K2YF5:Yb/Er纳米晶体在290°C条件下不同反应时间对应的低倍TEM图像：台保（a）0分钟，（b）4.0分钟，（c）7.0分钟。
障电重要插图：不同距离银纳米线的模拟电场分布。然而，应的块由于严格的取向选择性，通过定向附着形成的一维（1D）结构通常为厚度超过几十纳米的短棒状。